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STD9NM50N备选型号: FDD5N50NZTM
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- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 终端形式
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 箱体转运
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 高度
- 长度
- 宽度
MOSFET N Ch 500V 0.47 Ohm 7.5AACTIVE (Last Updated: 7 months ago)16 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON5A Tc150°C TJTape & Reel (TR)MDmesh™ II活跃1 (Unlimited)2EAR99560mOhm鸥翼STD9N3R-PSSO-G2Single增强型MOSFET70W7 nsN-ChannelSWITCHING790m Ω @ 2.5A, 10V4V @ 250μA570pF @ 50V14nC @ 10V16ns±25V19 ns5A25V500V150 mJ无ROHS3 Compliant无铅----------
MOSFET UNIFET2 500VACTIVE (Last Updated: 11 hours ago)4 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON4A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)UniFET™活跃1 (Unlimited)2EAR99-鸥翼--R-PSSO-G2Single增强型MOSFET62W12 nsN-ChannelSWITCHING1.5 Ω @ 2A, 10V5V @ 250μA440pF @ 25V12nC @ 10V22ns±25V21 ns4A25V500V-无ROHS3 Compliant无铅260.37mg2004e3yesTin (Sn)DRAIN4A2.39mm6.73mm6.22mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDD5N50NZTM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET UNIFET2 500V | 对比 |
| FDD8N50NZTM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Power MOSFET, N-Channel, UniFETTM II, 500 V, 6.5 A, 850 mO, DPAK | 对比 |
| STD9NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK | 对比 |
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