STF28N60DM2备选型号: IPAW60R190CEXKSA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 场效应管特性
  • STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STF28N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    17 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    21A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ DM2
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STF28
    N-Channel
    160m Ω @ 10.5A, 10V
    5V @ 250μA
    1500pF @ 100V
    34nC @ 10V
    600V
    ±25V
    21A
    4V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    In a Tube of 450, N-Channel MOSFET, 26.7 A, 600 V, 3 Tab-Pin TO-220FP Infineon IPAW60R190CEXKSA1
    -
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    26.7A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    -
    N-Channel
    190m Ω @ 9.5A, 10V
    3.5V @ 630μA
    1400pF @ 100V
    63nC @ 10V
    600V
    ±20V
    26.7A
    3V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    2013
    yes
    超级交界处
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
STP28N60M2 STP28N60M2 STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 24A TO-220 对比
IPAW60R190CEXKSA1 IPAW60R190CEXKSA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-220-3 Full Pack In a Tube of 450, N-Channel MOSFET, 26.7 A, 600 V, 3 Tab-Pin TO-220FP Infineon IPAW60R190CEXKSA1 对比