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首页 全部分类 STF28NM60ND vs IPA60R125CPXKSA1

STF28NM60ND备选型号: IPA60R125CPXKSA1

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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 高度
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  • 辐射硬化
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  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 功率耗散
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STF28NM60ND
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 23A TO220FP
    TO-220-3 Full Pack
    通孔
    通孔
    3
    329.988449mg
    SILICON
    92 ns
    FDmesh™ II
    Tube
    150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    STF28
    1
    Single
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    23.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    150m Ω @ 11.5A, 10V
    5V @ 250μA
    2090pF @ 100V
    62.5nC @ 10V
    21.5ns
    600V
    ±25V
    27 ns
    23A
    TO-220AB
    25V
    650V
    92A
    50 mJ
    4.6mm
    10.4mm
    16.4mm
    ROHS3 Compliant
    无
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPA60R125CPXKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 25A TO220-3
    TO-220-3 Full Pack
    通孔
    通孔
    3
    -
    SILICON
    25A Tc
    CoolMOS™
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    125m Ω @ 16A, 10V
    3.5V @ 1.1mA
    2500pF @ 100V
    70nC @ 10V
    5ns
    650V
    ±20V
    -
    25A
    TO-220AB
    20V
    -
    82A
    708 mJ
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    12 Weeks
    2007
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    35W
    无卤素
    600V
    无铅
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