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首页 全部分类 STF28NM60ND vs STP33N60M2

STF28NM60ND备选型号: STP33N60M2

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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
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  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 功率耗散
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STF28NM60ND
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 23A TO220FP
    TO-220-3 Full Pack
    通孔
    通孔
    3
    329.988449mg
    SILICON
    92 ns
    FDmesh™ II
    Tube
    150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    STF28
    1
    Single
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    23.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    150m Ω @ 11.5A, 10V
    5V @ 250μA
    2090pF @ 100V
    62.5nC @ 10V
    21.5ns
    600V
    ±25V
    27 ns
    23A
    TO-220AB
    25V
    650V
    92A
    50 mJ
    4.6mm
    10.4mm
    16.4mm
    ROHS3 Compliant
    无
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP33N60M2
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 650V 26A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
    TO-220-3
    通孔
    通孔
    -
    329.988449mg
    -
    26A Tc
    MDmesh™ II Plus
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    STP33N
    1
    Single
    -
    -
    16 ns
    N-Channel
    -
    125m Ω @ 13A, 10V
    4V @ 250μA
    1781pF @ 100V
    45.5nC @ 10V
    9.6ns
    -
    ±25V
    9 ns
    26A
    -
    25V
    600V
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    16 Weeks
    Tin
    190W
    无铅
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