STFH18N60M2备选型号: STP18NM60N
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- 型号:
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 基本部件号
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 底架
- ECCN 代码
- 电阻
- 引脚数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 无铅
- N-CHANNEL 600 V, 0.255 OHM TYP.,ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)16 Weeks通孔TO-220-3 Full PackNO3SILICON13A Tc-55°C~150°C TJTubeMDmesh™活跃1 (Unlimited)3SINGLESTFH18NSINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETISOLATEDN-ChannelSWITCHING280m Ω @ 6.5A, 10V4V @ 250μA791pF @ 100V21.5nC @ 10V600V±25V13A3VTO-220AB0.28Ohm52A600V无SVHCROHS3 Compliant----------------
- STMICROELECTRONICS STP18NM60N Power MOSFET, N Channel, 13 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 VACTIVE (Last Updated: 8 months ago)16 Weeks通孔TO-220-3-3SILICON13A Tc-55°C~150°C TJTubeMDmesh™ II活跃1 (Unlimited)3-STP18N-增强型MOSFET-N-ChannelSWITCHING285m Ω @ 6.5A, 10V4V @ 250μA1000pF @ 50V35nC @ 10V-±25V13A3VTO-220AB-52A-无SVHCROHS3 Compliant通孔EAR99285mOhm3Single110W12 ns15ns25 ns25V600V15.75mm10.4mm4.6mm无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDP10N60NZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | N-Channel Power MOSFET, UniFETTM II, 600V, 10A, 750mO, TO-220 | 对比 | |
![]() | IPAW60R380CEXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | 对比 |
![]() | STP18NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | STMICROELECTRONICS STP18NM60N Power MOSFET, N Channel, 13 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 V | 对比 |





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