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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.913876
10
¥5.579126
100
¥5.263326
500
¥4.965402
1000
¥4.684343
STMicroelectronics STFH18N60M2
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- 对比
STFH18N60M2
2381-STFH18N60M2
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3 Full Pack
大陆
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N-CHANNEL 600 V, 0.255 OHM TYP.,
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STFH18N60M2详情
STMicroelectronics STFH18N60M2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
16 Weeks
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
表面安装
NO
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
13A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
25W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
MDmesh™
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子位置
SINGLE
基本部件号
STFH18N
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
280m Ω @ 6.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
791pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
21.5nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±25V
连续放电电流(ID)
13A
阈值电压
3V
JEDEC-95代码
TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻
0.28Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
52A
DS 击穿电压-最小值
600V
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STFH18N60M2拓展信息
STMicroelectronics
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