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STFI10N62K3备选型号: STI10N62K3

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  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 引脚数量
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    STFI10N62K3
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 620V 8.4A 3-Pin(3 Tab) I2PAKFP Tube
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Full Pack, I2Pak
    3
    8.4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperMESH3™
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    STFI10N
    Single
    30W
    14.5 ns
    N-Channel
    750m Ω @ 4A, 10V
    4.5V @ 100μA
    1250pF @ 50V
    42nC @ 10V
    15ns
    ±30V
    31 ns
    8.4A
    30V
    620V
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STI10N62K3
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 620V 8.4A I2PAK
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    3
    8.4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperMESH3™
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    STI10N
    Single
    -
    14.5 ns
    N-Channel
    750m Ω @ 4A, 10V
    4.5V @ 100μA
    1250pF @ 50V
    42nC @ 10V
    15ns
    ±30V
    31 ns
    8.4A
    30V
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    3
    3
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    620V
    3.75V
    0.75Ohm
    620V
    220 mJ
    10.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
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