STMicroelectronics STI10N62K3

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8.4A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

125W Tc

Turn Off Delay Time

41 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

SuperMESH3™

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

基本部件号

STI10N

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

14.5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

750m Ω @ 4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1250pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

42nC @ 10V

上升时间

15ns

漏源电压 (Vdss)

620V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

31 ns

连续放电电流(ID)

8.4A

阈值电压

3.75V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.75Ohm

DS 击穿电压-最小值

620V

雪崩能量等级（Eas）

220 mJ

高度

10.75mm

长度

10.4mm

宽度

4.6mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant