STFI11N65M2备选型号: STI10N62K3

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STFI11N65M2 Power MOSFET, N Channel, 7 A, 650 V, 0.6 ohm, 10 V, 3 V
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Full Pack, I2Pak
    3
    2.240009g
    7A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ II Plus
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    600mOhm
    未说明
    未说明
    STFI11N
    1
    9.5 ns
    N-Channel
    670m Ω @ 3.5A, 10V
    4V @ 250μA
    410pF @ 100V
    12.5nC @ 10V
    7.5ns
    ±25V
    15 ns
    7A
    3V
    25V
    650V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 620V 8.4A I2PAK
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    3
    -
    8.4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperMESH3™
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    STI10N
    -
    14.5 ns
    N-Channel
    750m Ω @ 4A, 10V
    4.5V @ 100μA
    1250pF @ 50V
    42nC @ 10V
    15ns
    ±30V
    31 ns
    8.4A
    3.75V
    30V
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    3
    3
    Single
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    620V
    0.75Ohm
    620V
    220 mJ
    10.75mm
    10.4mm
    4.6mm
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
STI10N62K3 STI10N62K3 STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA MOSFET N-CH 620V 8.4A I2PAK 对比