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首页 全部分类 STFI12N60M2 vs STFI13N65M2

STFI12N60M2备选型号: STFI13N65M2

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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 基本部件号
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • STMicroelectronics
    STFI12N60M2
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 9A I2PAK-FP
    TO-262-3 Full Pack, I2Pak
    通孔
    通孔
    9A Tc
    MDmesh™ M2
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    Obsolete
    不适用
    EAR99
    未说明
    未说明
    STFI12N
    N-Channel
    450m Ω @ 4.5A, 10V
    4V @ 250μA
    538pF @ 100V
    16nC @ 10V
    600V
    ±25V
    9A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STFI13N65M2
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP
    TO-262-3 Full Pack, I2Pak
    通孔
    通孔
    10A Tc
    MDmesh™ M2
    Tube
    150°C TJ
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STFI13N
    N-Channel
    430m Ω @ 5A, 10V
    4V @ 250μA
    590pF @ 100V
    17nC @ 10V
    650V
    ±25V
    10A
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    3
    SINGLE
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    SWITCHING
    TO-281
    0.43Ohm
    40A
    650V
    350 mJ
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