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STFI13N65M2备选型号: IPI65R310CFDXKSA1
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 已出版
- 无铅代码
- 引脚数量
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 无铅
MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP通孔通孔TO-262-3 Full Pack, I2PakSILICON10A Tc150°C TJTubeMDmesh™ M2Obsolete1 (Unlimited)3EAR99SINGLE未说明未说明STFI13NR-PSFM-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETISOLATEDN-ChannelSWITCHING430m Ω @ 5A, 10V4V @ 250μA590pF @ 100V17nC @ 10V650V±25V10ATO-2810.43Ohm40A650V350 mJROHS3 Compliant-----------
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO262通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AASILICON11.4A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™Obsolete1 (Unlimited)3EAR99SINGLE未说明未说明-R-PSIP-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET-N-ChannelSWITCHING310m Ω @ 4.4A, 10V4.5V @ 440μA1100pF @ 100V41nC @ 10V-±20V11.4A--34.4A-290 mJ符合RoHS标准16 Weeks2008yes311 ns无卤素7.5ns7 ns20V650V无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STI18N65M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK | 对比 |
| STFI15N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Full Pack, I2Pak | MOSFET N CH 650V 11A I2PAKFP | 对比 |
| IPI65R310CFDXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 650V 11.4A TO262 | 对比 |
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