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STFI15N60M2-EP备选型号: IPI60R299CPXKSA1
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 表面安装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
MOSFET N-CH 600V 11A I2PAKFP通孔通孔TO-262-3 Full Pack, I2PakSILICON11A Tc-55°C~150°C TJTubeMDmesh™ M2Obsolete不适用3EAR99SINGLESTFI15NR-PSIP-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETISOLATEDN-ChannelSWITCHING378m Ω @ 5.5A, 10V4V @ 250μA590pF @ 100V17nC @ 10V600V±25V11ATO-2810.378Ohm44A600V125 mJROHS3 Compliant-----------
MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK-通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AASILICON11A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™Obsolete1 (Unlimited)3-SINGLE-R-PSIP-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET-N-ChannelSWITCHING299m Ω @ 6.6A, 10V3.5V @ 440μA1100pF @ 100V29nC @ 10V600V±20V--0.299Ohm34A600V290 mJ符合RoHS标准NO2008e3yesTin (Sn)未说明compliant未说明3不合格11A- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPI60R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK | 对比 |
 | STFI12N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Full Pack, I2Pak | MOSFET N-CH 600V 9A I2PAK-FP | 对比 |
| IPI65R310CFDXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 650V 11.4A TO262 | 对比 |
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