STMicroelectronics STFI15N60M2-EP

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Full Pack, I2Pak

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

25W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

MDmesh™ M2

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

不适用

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

基本部件号

STFI15N

JESD-30代码

R-PSIP-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

378m Ω @ 5.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

590pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±25V

连续放电电流(ID)

11A

JEDEC-95代码

TO-281

漏极-源极导通最大电阻

0.378Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

44A

DS 击穿电压-最小值

600V

雪崩能量等级（Eas）

125 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant