STFI40N60M2备选型号: IPI60R125CPXKSA1
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 基本部件号
- 通道数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 表面安装
- 晶体管元件材料
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 晶体管应用
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- MOSFET N-CH 600V 34A I2PAKFP通孔通孔TO-262-3 Full Pack, I2Pak32.240009g34A Tc-55°C~150°C TJTubeMDmesh™ II PlusObsolete不适用EAR99STFI40N1Single20.5 nsN-Channel88m Ω @ 17A, 10V4V @ 250μA2500pF @ 100V57nC @ 10V13.5ns600V±25V11 ns34A25V10.8mm10.4mm4.6mm无ROHS3 Compliant----------------------
- MOSFET N-CH 650V 25A TO-262-通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA--25A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™不用于新设计1 (Unlimited)-----N-Channel125m Ω @ 16A, 10V3.5V @ 1.1mA2500pF @ 100V70nC @ 10V-650V±20V-------ROHS3 Compliant12 WeeksNOSILICON2008e3yes3Tin (Sn)SINGLE未说明未说明3R-PSIP-T3不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETSWITCHING25A0.125Ohm82A600V708 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STI57N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh V | 对比 |
![]() | IPI60R125CPXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 650V 25A TO-262 | 对比 |
![]() | STI33N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 600V 26A I2PAK | 对比 |





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