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STFI40N60M2备选型号: STI57N65M5
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- 基本部件号
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
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- 下降时间（典型值）
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- 生命周期状态
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- 晶体管应用
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- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 无铅
MOSFET N-CH 600V 34A I2PAKFP通孔通孔TO-262-3 Full Pack, I2Pak32.240009g34A Tc-55°C~150°C TJTubeMDmesh™ II PlusObsolete不适用EAR99STFI40N1Single20.5 nsN-Channel88m Ω @ 17A, 10V4V @ 250μA2500pF @ 100V57nC @ 10V13.5ns600V±25V11 ns34A25V10.8mm10.4mm4.6mm无ROHS3 Compliant------------
MOSFET N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh V通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3-42A Tc-55°C~150°C TJTubeMDmesh™ V活跃1 (Unlimited)EAR99STI57N-Single73 nsN-Channel63m Ω @ 21A, 10V5V @ 250μA4200pF @ 100V98nC @ 10V15ns-±25V12 ns42A25V9.35mm10.4mm4.6mm无ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 7 months ago)17 WeeksSILICON3增强型MOSFET250WDRAINSWITCHING650V168A960 mJ无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STI57N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh V | 对比 |
 | IPI60R125CPXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 650V 25A TO-262 | 对比 |
| STI33N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 600V 26A I2PAK | 对比 |
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