STFW1N105K3备选型号: FQU2N100TU
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- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 质量
- 晶体管元件材料
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 操作模式
- 晶体管应用
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- MOSFET N-CH 1050V 1.4A TO3PFNRND (Last Updated: 8 months ago)通孔通孔ISOWATT218FX31.4A Tc-55°C~150°C TJTubeSuperMESH3™活跃1 (Unlimited)EAR99STFWSingle20W6 nsN-Channel11 Ω @ 600mA, 10V4.5V @ 50μA180pF @ 100V13nC @ 10V7ns1050V±30V50 ns1.4A30V1.05kV26.7mm15.7mm5.7mm无ROHS3 Compliant无铅--------------
- MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAKACTIVE (Last Updated: 5 days ago)通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA31.6A Tc-55°C~150°C TJTubeQFET®活跃1 (Unlimited)EAR99-Single2.5W13 nsN-Channel9 Ω @ 800mA, 10V5V @ 250μA520pF @ 25V15.5nC @ 10V30ns1000V±30V35 ns1.6A30V1kV7.57mm6.8mm2.5mm无ROHS3 Compliant无铅7 WeeksTin343.08mgSILICON2013e3yes31kV1.6A增强型MOSFETSWITCHING9Ohm6.4A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STP1N105K3 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-Ch 1050V 8Ohm 1.4A SuperMESH3 MOS | 对比 |
| FQU2N100TU | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK | 对比 | |
![]() | STU2N105K5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 1050V 1.5A IPAK | 对比 |





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