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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥19.183593
10
¥18.097733
100
¥17.073328
500
¥16.106915
1000
¥15.195206
STMicroelectronics STFW1N105K3
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STFW1N105K3
2381-STFW1N105K3
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
ISOWATT218FX
大陆
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MOSFET N-CH 1050V 1.4A TO3PF
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STFW1N105K3详情
STMicroelectronics STFW1N105K3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
NRND (Last Updated: 8 months ago)
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
ISOWATT218FX
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.4A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
20W Tc
Turn Off Delay Time
27 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
SuperMESH3™
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
基本部件号
STFW
元素配置
Single
功率耗散
20W
接通延迟时间
6 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
11 Ω @ 600mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 50μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
180pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
13nC @ 10V
上升时间
7ns
漏源电压 (Vdss)
1050V
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
50 ns
连续放电电流(ID)
1.4A
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
1.05kV
高度
26.7mm
长度
15.7mm
宽度
5.7mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STFW1N105K3拓展信息
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
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STMicroelectronics
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