STGB10M65DF2备选型号: IRGS4056DPBF

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  • ECCN 代码
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  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
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  • 基本部件号
  • 元素配置
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  • 功率 - 最大
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
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  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • IGBT类型
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  • 集极脉冲电流(Icm)
  • Td(开/关)@25°C
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  • RoHS状态
  • 质量
  • 已出版
  • 终止次数
  • 终端形式
  • 极性/通道类型
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGB10M65DF2 IGBT Single Transistor, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-263, 3 Pins
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    30 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    650V
    1.55V
    -55°C~175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    115W
    未说明
    未说明
    STGB10
    Single
    Standard
    115W
    2V
    20A
    96 ns
    650V
    2V @ 15V, 10A
    沟渠现场停车
    28nC
    40A
    19ns/91ns
    120μJ (on), 270μJ (off)
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IGBT 600V 24A 140W D2PAK
    -
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    2
    600V
    1.55V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    140W
    -
    -
    -
    Single
    Standard
    140W
    1.85V
    24A
    68 ns
    -
    1.85V @ 15V, 12A
    Trench
    25nC
    48A
    31ns/83ns
    75μJ (on), 225μJ (off)
    无SVHC
    符合RoHS标准
    260.39037mg
    2007
    2
    鸥翼
    N-CHANNEL
    30V
    6.5V
    31ns
    9.65mm
    10.67mm
    4.83mm
    无铅
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