STGB10M65DF2备选型号: IRGS4056DPBF
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- 基本部件号
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- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
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- 终端形式
- 极性/通道类型
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- 栅极-发射极Thr电压-最大值
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- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 无铅
- STMICROELECTRONICS STGB10M65DF2 IGBT Single Transistor, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-263, 3 PinsACTIVE (Last Updated: 7 months ago)30 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3650V1.55V-55°C~175°C TJCut Tape (CT)活跃1 (Unlimited)EAR99115W未说明未说明STGB10SingleStandard115W2V20A96 ns650V2V @ 15V, 10A沟渠现场停车28nC40A19ns/91ns120μJ (on), 270μJ (off)无SVHCROHS3 Compliant-------------
- IGBT 600V 24A 140W D2PAK-13 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB2600V1.55V-55°C~175°C TJTubeObsolete1 (Unlimited)EAR99140W---SingleStandard140W1.85V24A68 ns-1.85V @ 15V, 12ATrench25nC48A31ns/83ns75μJ (on), 225μJ (off)无SVHC符合RoHS标准260.39037mg20072鸥翼N-CHANNEL30V6.5V31ns9.65mm10.67mm4.83mm无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRGS4610DPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 16A 77W D2PAK | 对比 |
![]() | HGT1S3N60A4DS9A | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 17A 70W D2PAK | 对比 |
![]() | IRGS4715DPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 650V D2-PAK | 对比 |





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