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首页 全部分类 STGB10M65DF2 vs IRGS4610DPBF

STGB10M65DF2备选型号: IRGS4610DPBF

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  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 长度
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  • STMicroelectronics
    STGB10M65DF2
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGB10M65DF2 IGBT Single Transistor, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-263, 3 Pins
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    30 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    650V
    1.55V
    -55°C~175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    115W
    未说明
    未说明
    STGB10
    Single
    Standard
    115W
    2V
    20A
    96 ns
    650V
    2V @ 15V, 10A
    沟渠现场停车
    28nC
    40A
    19ns/91ns
    120μJ (on), 270μJ (off)
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRGS4610DPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 16A 77W D2PAK
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    600V
    1.7V
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    77W
    260
    30
    -
    Single
    Standard
    77W
    2V
    16A
    74 ns
    -
    2V @ 15V, 6A
    -
    13nC
    18A
    27ns/75ns
    56μJ (on), 122μJ (off)
    无SVHC
    符合RoHS标准
    260.39037mg
    2001
    e3
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    N-CHANNEL
    20V
    6.5V
    4.83mm
    10.67mm
    9.65mm
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