注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档

PDF文档列表

价格梯度

内地含税价

1

￥16.525893
10

￥15.590471
100

￥14.707989
500

￥13.875458
1000

￥13.090061

ON Semiconductor HGT1S3N60A4DS9A

Name: HGT1S3N60A4DS9A
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-HGT1S3N60A4DS9A
Price: 16.53 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

收藏
对比

型号

HGT1S3N60A4DS9A

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-HGT1S3N60A4DS9A

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT 600V 17A 70W D2PAK

起订量

--最小包装量--

单价:

￥

总价: ￥

添加到询价列表

HGT1S3N60A4DS9A ON Semiconductor IGBT 600V 17A 70W D2PAK

单价: $

合计: ￥

库存:3788

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

在线咨询

HGT1S3N60A4DS9A详情

技术参数

PDF文档

型号对比

ON Semiconductor HGT1S3N60A4DS9A重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数

3
供应商器件包装

TO-263AB
Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V
Collector-Emitter Saturation Voltage

2V
Current-Collector (Ic) (Max)

17A
Test Conditions

390V, 3A, 50Ohm, 15V
操作温度

-55°C~150°C TJ
包装

Tube
零件状态

Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
最高工作温度

150°C
最小工作温度

-55°C
最大功率耗散

70W
元素配置

Single
功率耗散

70W
输入类型

Standard
功率 - 最大

70W
集电极发射器电压(VCEO)

600V
最大集电极电流

17A
反向恢复时间

19 ns
电压 - 集射极击穿（最大值）

600V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.7V @ 15V, 3A
闸门收费

21nC
集极脉冲电流（Icm）

40A
Td（开/关）@25°C

6ns/73ns
开关能量

37μJ (on), 25μJ (off)
RoHS状态

符合RoHS标准

0个相似型号

HGT1S3N60A4DS9A拓展信息

热销零件