STGB15M65DF2备选型号: STGB30M65DF2
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 最大击穿电压
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- RoHS状态
- 引脚数
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 元素配置
- 达到SVHC
- TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SEACTIVE (Last Updated: 8 months ago)30 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB650V-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)EAR99136W未说明未说明STGB15Standard136W2V30A142 ns650V2V @ 15V, 15A沟渠现场停车45nC60A24ns/93ns90μJ (on), 450μJ (off)ROHS3 Compliant----
- IGBT 650V 30A D2PAKACTIVE (Last Updated: 7 months ago)30 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB650V-55°C~175°C TJCut Tape (CT)活跃1 (Unlimited)EAR99258W未说明未说明STGB30Standard258W2V60A140 ns650V2V @ 15V, 30A沟渠现场停车80nC120A31.6ns/115ns300μJ (on), 960μJ (off)ROHS3 Compliant31.55VSingle无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRGS8B60KPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 28A 167W D2PAK | 对比 |
![]() | IRGS4715DPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 650V D2-PAK | 对比 |
![]() | IGB15N60TATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 30A 130W TO263-3-2 | 对比 |




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