STMicroelectronics STGB30M65DF2

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

工厂交货时间

30 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

650V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.55V

Test Conditions

400V, 30A, 10 Ω, 15V

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

258W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STGB30

元素配置

Single

输入类型

Standard

功率 - 最大

258W

集电极发射器电压(VCEO)

2V

最大集电极电流

60A

反向恢复时间

140 ns

最大击穿电压

650V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2V @ 15V, 30A

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

80nC

集极脉冲电流（Icm）

120A

Td（开/关）@25°C

31.6ns/115ns

开关能量

300μJ (on), 960μJ (off)

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant