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STGB20NC60VT4备选型号: FGB5N60UNDF
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- 包装/外壳
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- 晶体管元件材料
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- JESD-609代码
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最大击穿电压
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
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- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 质量
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 已出版
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- 反向恢复时间
- IGBT类型
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- 高度
- 长度
- 宽度
- 无铅
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON600V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerMESH™e3yesObsolete1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn) - annealed200W鸥翼245STGB204R-PSSO-G2SingleStandard200W电源控制N-CHANNEL600V60A600V42.5 ns2.5V @ 15V, 20A280 ns100nC100A31ns/100ns220μJ (on), 330μJ (off)20V5.75V无ROHS3 Compliant--------------
IGBT Transistors 600V 5A NPT IGBT表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON600V-55°C~150°C TJTube-e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)73.5W鸥翼---R-PSSO-G2SingleStandard73.5WMOTOR CONTROLN-CHANNEL600V10A-7.5 ns2.4V @ 15V, 5A151.6 ns12.1nC15A5.4ns/25.4ns80μJ (on), 70μJ (off)20V8.5V无ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 4 days ago)5 Weeks1.31247g2.4V20138541.29.00.95COLLECTOR35 nsNPT202ns4.83mm10.67mm9.65mm无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FGB7N60UNDF | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT Transistors 600V 7A NPT IGBT | 对比 |
| FGB5N60UNDF | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT Transistors 600V 5A NPT IGBT | 对比 |
 | STGB30NC60WT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 60A 200W D2PAK | 对比 |
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