ON Semiconductor FGB5N60UNDF

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

5 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

质量

1.31247g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.4V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 5A, 10 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

73.5W

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

73.5W

晶体管应用

MOTOR CONTROL

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

10A

反向恢复时间

35 ns

接通时间

7.5 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.4V @ 15V, 5A

关断时间-标准值（toff)

151.6 ns

IGBT类型

NPT

闸门收费

12.1nC

集极脉冲电流（Icm）

15A

Td（开/关）@25°C

5.4ns/25.4ns

开关能量

80μJ (on), 70μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

8.5V

最大下降时间 (tf)

202ns

高度

4.83mm

长度

10.67mm

宽度

9.65mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅