我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
STGB20V60DF备选型号: STGB19NC60HDT4
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 元素配置
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 最大击穿电压
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- 系列
- JESD-609代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 终端形式
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 接通时间
- 关断时间-标准值（toff)
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 辐射硬化
- 无铅
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin D2PAK T/RACTIVE (Last Updated: 7 months ago)表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB32.240009g600V1.8V-55°C~175°C TJCut Tape (CT)Discontinued1 (Unlimited)EAR99167W未说明未说明STGB20SingleStandard167WN-CHANNEL600V40A40 ns600V2.2V @ 15V, 20A沟渠现场停车116nC80A38ns/149ns200μJ (on), 130μJ (off)20V4.6mm10.4mm9.35mmROHS3 Compliant----------------- IGBT 600V 40A 130W D2PAKACTIVE (Last Updated: 7 months ago)表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-600V--55°C~150°C TJTape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)EAR99130W24530STGB19SingleStandard130WN-CHANNEL600V40A31 ns600V2.5V @ 15V, 12A-53nC60A25ns/97ns85μJ (on), 189μJ (off)20V---ROHS3 Compliant8 WeeksSILICONPowerMESH™e32Matte Tin (Sn)鸥翼4R-PSSO-G225 ns电源控制32 ns272 ns5.75V无无铅
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STGB15H60DF | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3-Pin D2PAK T/R | 对比 |
 | FGB20N60SF | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGB20N60SF IGBT Single Transistor, General Purpose, 20 A, 600 V, 208 W, 600 V, TO-263, 3 Pins | 对比 |
| STGB19NC60HDT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 40A 130W D2PAK | 对比 |
哦! 它是空的。