STMicroelectronics STGB19NC60HDT4

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

工厂交货时间

8 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Number of Elements

1

Test Conditions

390V, 12A, 10 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

97 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerMESH™

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最大功率耗散

130W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STGB19

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

输入类型

Standard

接通延迟时间

25 ns

功率 - 最大

130W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

40A

反向恢复时间

31 ns

最大击穿电压

600V

接通时间

32 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.5V @ 15V, 12A

关断时间-标准值（toff)

272 ns

闸门收费

53nC

集极脉冲电流（Icm）

60A

Td（开/关）@25°C

25ns/97ns

开关能量

85μJ (on), 189μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5.75V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅