STGB20V60F备选型号: STGB20NC60V
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 元素配置
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最大击穿电压
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 系列
- 接通延迟时间
- 连续集电极电流
- 辐射硬化
- 无铅
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin D2PAK T/RACTIVE (Last Updated: 7 months ago)20 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB32.000002g600V1.8V-55°C~175°C TJCut Tape (CT)活跃1 (Unlimited)EAR99167W未说明未说明STGB20SingleStandard167W600V40A600V2.2V @ 15V, 20A沟渠现场停车116nC80A38ns/149ns200μJ (on), 130μJ (off)4.6mm10.4mm9.35mmROHS3 Compliant-----
- IGBT 600V 60A 200W D2PAKNRND (Last Updated: 8 months ago)-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB32.240009g600V1.8V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Obsolete1 (Unlimited)EAR99200W--STGB20SingleStandard-600V60A600V2.5V @ 15V, 20A-100nC100A31ns/100ns220μJ (on), 330μJ (off)4.6mm8.5mm15mmROHS3 CompliantPowerMESH™31 ns60A无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FGB20N60SF | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGB20N60SF IGBT Single Transistor, General Purpose, 20 A, 600 V, 208 W, 600 V, TO-263, 3 Pins | 对比 |
![]() | STGB19NC60HDT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 40A 130W D2PAK | 对比 |
![]() | STGB20NC60V | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 60A 200W D2PAK | 对比 |





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