我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
STGB40V60F备选型号: FGB40N60SM
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 元素配置
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最大击穿电压
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- HTS代码
- 终端形式
- JESD-30代码
- 上升时间-最大值
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 接通时间
- 关断时间-标准值（toff)
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 无铅
IGBT 600V 80A 283W D2PAKACTIVE (Last Updated: 7 months ago)20 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB32.000002g600V1.8V-55°C~175°C TJCut Tape (CT)活跃1 (Unlimited)EAR99283W未说明未说明STGB40SingleStandard283W600V80A600V2.3V @ 15V, 40A沟渠现场停车226nC160A52ns/208ns456μJ (on), 411μJ (off)ROHS3 Compliant-----------------------
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/RACTIVE (Last Updated: 4 days ago)4 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB31.31247g600V2.3V-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)EAR99349W--FGB40N60SingleStandard349W600V80A600V2.3V @ 15V, 40A场站119nC120A12ns/92ns870μJ (on), 260μJ (off)ROHS3 CompliantSILICON2013e3yes2Tin (Sn)8541.29.00.95鸥翼R-PSSO-G228nsCOLLECTOR电源控制N-CHANNEL37 ns132 ns20V6V17ns4.83mm10.67mm9.65mm无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STGB20V60F | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin D2PAK T/R | 对比 |
 | STGB20V60DF | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin D2PAK T/R | 对比 |
| STGB20NC60V | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 60A 200W D2PAK | 对比 |
哦! 它是空的。