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ON Semiconductor FGB40N60SM

Name: FGB40N60SM
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-FGB40N60SM
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

FGB40N60SM

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-FGB40N60SM

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R

起订量

--最小包装量--

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FGB40N60SM ON Semiconductor Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R

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FGB40N60SM详情

技术参数

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型号对比

ON Semiconductor FGB40N60SM重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间

4 Weeks
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数

3
质量

1.31247g
晶体管元件材料

SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V
Collector-Emitter Saturation Voltage

2.3V
Number of Elements

1
Test Conditions

400V, 40A, 6 Ω, 15V
操作温度

-55°C~175°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2013
JESD-609代码

e3
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终止次数

2
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin (Sn)
HTS代码

8541.29.00.95
最大功率耗散

349W
终端形式

鸥翼
基本部件号

FGB40N60
JESD-30代码

R-PSSO-G2
上升时间-最大值

28ns
元素配置

Single
箱体转运

COLLECTOR
输入类型

Standard
功率 - 最大

349W
晶体管应用

电源控制
极性/通道类型

N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)

600V
最大集电极电流

80A
最大击穿电压

600V
接通时间

37 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.3V @ 15V, 40A
关断时间-标准值（toff)

132 ns
IGBT类型

场站
闸门收费

119nC
集极脉冲电流（Icm）

120A
Td（开/关）@25°C

12ns/92ns
开关能量

870μJ (on), 260μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值

20V
栅极-发射极Thr电压-最大值

6V
最大下降时间 (tf)

17ns
高度

4.83mm
长度

10.67mm
宽度

9.65mm
辐射硬化

无
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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FGB40N60SM拓展信息

热销零件