STGD10HF60KD备选型号: IRG4RC10SDTRPBF
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- 包装
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 最大击穿电压
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- RoHS状态
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 已出版
- 终止次数
- 终端
- 附加功能
- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 上升时间
- JEDEC-95代码
- 接通时间
- 关断时间-标准值(toff)
- 最大下降时间 (tf)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- IGBT 600V 10A DPAKACTIVE (Last Updated: 7 months ago)8 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63600V-55°C~150°C TJCut Tape (CT)Automotive, AEC-Q101e3活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn) - annealed62.5W未说明not_compliant未说明STGD10Standard62.5WN-CHANNEL2.75V18A50 ns600V2.75V @ 15V, 5A23nC30A9.5ns/87ns45μJ (on), 105μJ (off)20V6.5VROHS3 Compliant------------------------
- IGBT 600V 14A 38W DPAK-13 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63600V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-e3Obsolete1 (Unlimited)EAR99镍外哑光锡38W260-30IRG4RC10SDPBFStandard-N-CHANNEL1.8V14A28 ns600V1.8V @ 15V, 8A15nC18A76ns/815ns310μJ (on), 3.28mJ (off)20V6V符合RoHS标准3350.003213mgSILICON1.7V20042SMD/SMT低导通损耗鸥翼R-PSSO-G2Single38WCOLLECTOR电源控制32nsTO-252AA106 ns1780 ns1080ns1.2446mm6.7056mm6.223mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGD10NC60ST4 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 600V 18A 60W DPAK | 对比 |
![]() | IKD06N60RFATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 600V 12A 100W PG-TO252-3 | 对比 |
![]() | IRG4RC10SDTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 600V 14A 38W DPAK | 对比 |






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