Infineon Technologies IRG4RC10SDTRPBF

工厂交货时间

13 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

质量

350.003213mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.7V

Number of Elements

1

Test Conditions

480V, 8A, 100 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2004

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

镍外哑光锡

附加功能

低导通损耗

最大功率耗散

38W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

IRG4RC10SDPBF

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

功率耗散

38W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

晶体管应用

电源控制

上升时间

32ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.8V

最大集电极电流

14A

反向恢复时间

28 ns

JEDEC-95代码

TO-252AA

最大击穿电压

600V

接通时间

106 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.8V @ 15V, 8A

关断时间-标准值（toff)

1780 ns

闸门收费

15nC

集极脉冲电流（Icm）

18A

Td（开/关）@25°C

76ns/815ns

开关能量

310μJ (on), 3.28mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6V

最大下降时间 (tf)

1080ns

高度

1.2446mm

长度

6.7056mm

宽度

6.223mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准