STGDL6NC60DT4备选型号: STGD5H60DF
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- JEDEC-95代码
- 最大击穿电压
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- ECCN 代码
- IGBT类型
- IGBT 600V 13A 50W DPAK表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON600V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerMESH™e3yesObsolete1 (Unlimited)2Matte Tin (Sn) - annealed50W鸥翼260not_compliant30STGDL63R-PSSO-G2不合格SingleStandard50W电源控制N-CHANNEL600V13A30 nsTO-252AA600V10.5 ns2.9V @ 15V, 3A122 ns12nC25A6.7ns/46ns46.5μJ (on), 23.5μJ (off)20V5.75VROHS3 Compliant----
- TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63--600V-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)---活跃1 (Unlimited)--83W-未说明-未说明STGD5----Standard83W--1.95V10A134.5 ns-600V-1.95V @ 15V, 5A-43nC20A30ns/140ns56μJ (on), 78.5μJ (off)--ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 8 months ago)20 WeeksEAR99沟渠现场停车
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IGD06N60TATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 600V 12A 88W TO252-3 | 对比 |
![]() | STGD5H60DF | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S | 对比 |
![]() | IRG4RC10SDTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 600V 14A 38W DPAK | 对比 |






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