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首页 全部分类 STGE200NB60S vs APT200GN60JDQ4

STGE200NB60S备选型号: APT200GN60JDQ4

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  • 长度
  • 宽度
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 功率 - 最大
  • IGBT类型
  • STMicroelectronics
    STGE200NB60S
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGE200NB60S IGBT Single Transistor, 200 A, 1.2 V, 600 W, 600 V, ISOTOP, 4 Pins
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    8 Weeks
    Chassis Mount, Panel, Screw
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    28.349523g
    SILICON
    600V
    1.2V
    -55°C~150°C TJ
    PowerMESH™
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Nickel (Ni)
    600V
    600W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    150A
    STGE200
    4
    Single
    600W
    ISOLATED
    64 ns
    电源控制
    112ns
    600V
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    200A
    200A
    500μA
    1.56nF
    170 ns
    1.6V @ 15V, 100A
    4600 ns
    无
    20V
    1.56nF @ 25V
    1.6 V
    9.1mm
    38.2mm
    25.5mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APT200GN60JDQ4
    Microsemi Corporation
    IGBT MOD 600V 283A 682W ISOTOP
    -
    25 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    ISOTOP
    4
    30.000004g
    SILICON
    600V
    1.5V
    -55°C~175°C TJ
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    -
    682W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    -
    -
    4
    Single
    -
    ISOLATED
    -
    电源控制
    -
    -
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    283A
    -
    50μA
    14.1nF
    130 ns
    1.85V @ 15V, 200A
    660 ns
    无
    20V
    14.1nF @ 25V
    -
    9.6mm
    38.2mm
    25.4mm
    -
    符合RoHS标准
    -
    1999
    e1
    yes
    682W
    沟渠现场停车
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