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首页 全部分类 STGF10NB60SD vs STGF10H60DF

STGF10NB60SD备选型号: STGF10H60DF

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  • 开关能量
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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 功率 - 最大
  • IGBT类型
  • STMicroelectronics
    STGF10NB60SD
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGF10NB60SD IGBT Single Transistor, 20 A, 1.8 V, 25 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pins
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    600V
    1.8V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PowerMESH™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    600V
    25W
    10A
    STGF10
    3
    Single
    25W
    ISOLATED
    Standard
    电源控制
    460ns
    600V
    N-CHANNEL
    600V
    23A
    37ns
    20A
    TO-220AB
    600V
    1160 ns
    1.75V @ 15V, 10A
    3100 ns
    33nC
    80A
    700ns/1.2μs
    600μJ (on), 5mJ (off)
    20V
    5V
    20mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGF10H60DF
    STMicroelectronics
    IGBT 600V 20A 30W TO220FP
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    -
    600V
    1.5V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    30W
    -
    STGF10
    -
    Single
    -
    -
    Standard
    -
    -
    -
    -
    600V
    20A
    107 ns
    -
    -
    -
    -
    1.95V @ 15V, 10A
    -
    57nC
    40A
    19.5ns/103ns
    83μJ (on), 140μJ (off)
    -
    -
    16.4mm
    10.4mm
    4.6mm
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2.299997g
    未说明
    未说明
    30W
    沟渠现场停车
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