ON Semiconductor FGP20N6S2D
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FGP20N6S2D
1807-FGP20N6S2D
晶体管 - IGBT - 单个
TO-220-3
大陆
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IGBT 600V 28A 125W TO220AB
1最小包装量--
FGP20N6S2D详情
ON Semiconductor FGP20N6S2D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.2V
Test Conditions
390V, 7A, 25 Ω, 15V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电压 - 额定直流
600V
最大功率耗散
125W
额定电流
28A
元素配置
Single
功率耗散
125W
输入类型
Standard
上升时间
4.5ns
集电极发射器电压(VCEO)
2.7V
最大集电极电流
28A
反向恢复时间
31ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.7V @ 15V, 7A
闸门收费
30nC
集极脉冲电流(Icm)
40A
Td(开/关)@25°C
7.7ns/87ns
开关能量
25μJ (on), 58μJ (off)
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FGP20N6S2D拓展信息
ON Semiconductor
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