STGF30H60DF备选型号: STGP30H60DFB
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 输入类型
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- JEDEC-95代码
- 接通时间
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT 600V 60A 37W TO220FP通孔通孔TO-220-3 Full Pack3600V2.4V-40°C~175°C TJTubeObsolete1 (Unlimited)EAR9937WSTGF30Single37WStandardN-CHANNEL600V60A110 ns2.4V @ 15V, 30A沟渠现场停车105nC120A50ns/160ns350μJ (on), 400μJ (off)20V无ROHS3 Compliant无铅--------------
- TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB通孔通孔TO-220-3-400V, 30A, 10 Ω, 15V--55°C~175°C TJTube活跃1 (Unlimited)EAR99260WSTGP30--StandardN-CHANNEL2V60A53 ns2V @ 15V, 30A沟渠现场停车149nC120A37ns/146ns383μJ (on), 293μJ (off)--ROHS3 Compliant-20 WeeksSILICON3SINGLE未说明未说明R-PSFM-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODECOLLECTOR260W电源控制TO-220AB51.1 ns223 ns
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IXGP30N60C3D4 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | IGBT 600V 60A 220W TO220AB | 对比 |
![]() | IRGB4630DPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | IGBT 600V 47A 206W TO220 | 对比 |
![]() | STGP30H65F | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | IGBT 650V 60A 260W TO-220AB | 对比 |






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