STGF30H60DF备选型号: STGP30H60DFB

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  • 底架
  • 安装类型
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  • 引脚数
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
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  • 零件状态
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  • ECCN 代码
  • 最大功率耗散
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 输入类型
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 反向恢复时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流(Icm)
  • Td(开/关)@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 接通时间
  • 关断时间-标准值(toff)
  • STMicroelectronics
    IGBT 600V 60A 37W TO220FP
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    600V
    2.4V
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    37W
    STGF30
    Single
    37W
    Standard
    N-CHANNEL
    600V
    60A
    110 ns
    2.4V @ 15V, 30A
    沟渠现场停车
    105nC
    120A
    50ns/160ns
    350μJ (on), 400μJ (off)
    20V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    400V, 30A, 10 Ω, 15V
    -
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    260W
    STGP30
    -
    -
    Standard
    N-CHANNEL
    2V
    60A
    53 ns
    2V @ 15V, 30A
    沟渠现场停车
    149nC
    120A
    37ns/146ns
    383μJ (on), 293μJ (off)
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    20 Weeks
    SILICON
    3
    SINGLE
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    COLLECTOR
    260W
    电源控制
    TO-220AB
    51.1 ns
    223 ns
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