STGF30V60DF备选型号: STGP30H60DF
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- 工厂交货时间
- 底架
- 包装/外壳
- 引脚数
- 零件状态
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- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 基本部件号
- 元素配置
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 安装类型
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- ECCN 代码
- 功率耗散
- 输入类型
- 极性/通道类型
- 反向恢复时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 辐射硬化
- 无铅
- IGBT BIPO 600V 30A TO-22040 Weeks通孔TO-2203活跃不适用175°C-55°C260WSTGF30Single600V60A15.75mm10.4mm4.6mmROHS3 Compliant--------------------
- IGBT 600V 60A 260W TO22020 Weeks通孔TO-220-3-活跃1 (Unlimited)--260WSTGP30Single600V60A---ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 8 months ago)通孔600V2.4V-40°C~175°C TJTubeEAR99260WStandardN-CHANNEL110 ns2.4V @ 15V, 30A沟渠现场停车105nC120A50ns/160ns350μJ (on), 400μJ (off)20V无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGP30H60DF | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | IGBT 600V 60A 260W TO220 | 对比 |
![]() | IXGP30N60C3 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | IGBT 600V 60A 220W TO220AB | 对比 |
![]() | STGP30M65DF2 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | STMICROELECTRONICS STGP30M65DF2 IGBT Single Transistor, 60 A, 1.55 V, 258 W, 650 V, TO-220, 3 Pins | 对比 |




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