STGFW30H65FB备选型号: STGWT30H60DFB
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- Collector-Emitter Saturation Voltage
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- 包装
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 元素配置
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- RoHS状态
- 反向恢复时间
- 高度
- 长度
- 宽度
- IGBT 650V 60A 58W TO3PFACTIVE (Last Updated: 8 months ago)32 Weeks通孔通孔TO-3PFM, SC-93-336.961991g650V1.55V-55°C~175°C TJTube活跃1 (Unlimited)EAR9958W未说明未说明STGFW30SingleStandard58W650V60A2V @ 15V, 30A沟渠现场停车149nC120A37ns/146ns151μJ (on), 293μJ (off)ROHS3 Compliant----
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin TO-3P Tube-32 Weeks通孔通孔TO-3P-3, SC-65-336.756003g600V1.55V-55°C~175°C TJTube活跃1 (Unlimited)EAR99260W未说明未说明STGWT30SingleStandard260W600V60A2V @ 15V, 30A沟渠现场停车149nC120A37ns/146ns383μJ (on), 293μJ (off)ROHS3 Compliant53 ns14.1mm15.8mm5mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGP30M65DF2 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | STMICROELECTRONICS STGP30M65DF2 IGBT Single Transistor, 60 A, 1.55 V, 258 W, 650 V, TO-220, 3 Pins | 对比 |
![]() | STGWA30M65DF2 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGWA30M65DF2 IGBT Single Transistor, 60 A, 1.55 V, 258 W, 650 V, TO-247, 3 Pins | 对比 |
| NGTB30N65IHL2WG | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 3-Pin TO-247 Tube | 对比 |






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