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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥17.462544
10
¥16.474094
100
¥15.541603
500
¥14.661885
1000
¥13.831971
STMicroelectronics STGWT30H60DFB
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- 对比
STGWT30H60DFB
2381-STGWT30H60DFB
晶体管 - IGBT - 单个
TO-3P-3, SC-65-3
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Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin TO-3P Tube
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STGWT30H60DFB详情
STMicroelectronics STGWT30H60DFB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
32 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-3P-3, SC-65-3
引脚数
3
质量
6.756003g
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.55V
Test Conditions
400V, 30A, 10 Ω, 15V
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
260W
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STGWT30
元素配置
Single
输入类型
Standard
功率 - 最大
260W
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
60A
反向恢复时间
53 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2V @ 15V, 30A
IGBT类型
沟渠现场停车
闸门收费
149nC
集极脉冲电流(Icm)
120A
Td(开/关)@25°C
37ns/146ns
开关能量
383μJ (on), 293μJ (off)
高度
14.1mm
长度
15.8mm
宽度
5mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STGWT30H60DFB拓展信息
STMicroelectronics
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