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STGP30H60DF备选型号: STGP35HF60W
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- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 输入类型
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
IGBT 600V 60A 260W TO220ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)20 Weeks通孔通孔TO-220-3600V2.4V-40°C~175°C TJTube活跃1 (Unlimited)EAR99260WSTGP30Single260WStandardN-CHANNEL600V60A110 ns2.4V @ 15V, 30A沟渠现场停车105nC120A50ns/160ns350μJ (on), 400μJ (off)20V无ROHS3 Compliant无铅-- IGBT Transistors 35A Ultrafast IGBT 600V 100kHzACTIVE (Last Updated: 7 months ago)8 Weeks通孔通孔TO-220-3400V, 20A, 10 Ω, 15V1.65V-55°C~150°C TJTube活跃1 (Unlimited)EAR99200WSTGP35Single200WStandardN-CHANNEL600V60A-2.5V @ 15V, 20A-140nC150A30ns/175ns290μJ (on), 185μJ (off)20V无ROHS3 Compliant无铅5.75V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STGP30V60DF | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | IGBT 600V 60A 258W TO220AB | 对比 |
 | IXGP30N60C3 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | IGBT 600V 60A 220W TO220AB | 对比 |
| STGP30NC60W | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | STMICROELECTRONICS STGP30NC60W IGBT Single Transistor, 30 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-220, 3 Pins | 对比 |
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