STMicroelectronics STGP35HF60W
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STGP35HF60W
2381-STGP35HF60W
晶体管 - IGBT - 单个
TO-220-3
大陆
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IGBT Transistors 35A Ultrafast IGBT 600V 100kHz
--最小包装量--
STGP35HF60W详情
STMicroelectronics STGP35HF60W重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
包装/外壳
TO-220-3
安装类型
通孔
底架
通孔
Test Conditions
400V, 20A, 10 Ω, 15V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.65V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
包装
Tube
操作温度
-55°C~150°C TJ
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
200W
基本部件号
STGP35
元素配置
Single
功率耗散
200W
输入类型
Standard
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
60A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.5V @ 15V, 20A
闸门收费
140nC
集极脉冲电流(Icm)
150A
Td(开/关)@25°C
30ns/175ns
开关能量
290μJ (on), 185μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
5.75V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
无铅
无铅
STGP35HF60W拓展信息
STMicroelectronics
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