STGP30V60DF备选型号: STGP30H60DF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 输入类型
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- JEDEC-95代码
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 无铅
- IGBT 600V 60A 258W TO220AB20 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON600V2.35V-55°C~175°C TJTube活跃1 (Unlimited)3EAR99258WSTGP30Single258WCOLLECTORStandard电源控制N-CHANNEL600V60A53nsTO-220AB59 ns2.3V @ 15V, 30A225 ns沟渠现场停车163nC120A45ns/189ns383μJ (on), 233μJ (off)20V15.75mm10.4mm4.6mm无ROHS3 Compliant--
- IGBT 600V 60A 260W TO22020 Weeks通孔通孔TO-220-3--600V2.4V-40°C~175°C TJTube活跃1 (Unlimited)-EAR99260WSTGP30Single260W-Standard-N-CHANNEL600V60A110 ns--2.4V @ 15V, 30A-沟渠现场停车105nC120A50ns/160ns350μJ (on), 400μJ (off)20V---无ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 8 months ago)无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGP35HF60W | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | IGBT Transistors 35A Ultrafast IGBT 600V 100kHz | 对比 |
![]() | IXGP30N60C3 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | IGBT 600V 60A 220W TO220AB | 对比 |
![]() | STGP30NC60W | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | STMICROELECTRONICS STGP30NC60W IGBT Single Transistor, 30 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-220, 3 Pins | 对比 |





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