STGW19NC60W备选型号: STGW20V60F
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 输入类型
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- JEDEC-95代码
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- 闸门收费
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 引脚数
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 功率耗散
- IGBT类型
- 集极脉冲电流(Icm)
- 高度
- 长度
- 宽度
- IGBT 600V 42A 140W TO247通孔通孔TO-247-3SILICON1-65°C~150°C TJTubePowerMESH™Obsolete不适用3EAR99140WSTGW193R-PSFM-T3SingleStandardMOTOR CONTROLN-CHANNEL600V40ATO-247AC33 ns2.5V @ 15V, 12A204 ns53nC25ns/90ns81μJ (on), 125μJ (off)20V5.75V无ROHS3 Compliant------------
- IGBT Transistors 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop通孔通孔TO-247-3SILICON600V-55°C~175°C TJTube-活跃1 (Unlimited)3EAR99167WSTGW203-SingleStandard电源控制N-CHANNEL600V40A-49 ns2.2V @ 15V, 20A173 ns116nC38ns/149ns200μJ (on), 130μJ (off)--无ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 7 months ago)20 Weeks32.3Ve3Matte Tin (Sn)167W沟渠现场停车80A20.15mm15.75mm5.15mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FGH20N60SFDTU-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 20A 165W TO247 | 对比 | |
![]() | IRG4PC40UDPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 40A 160W TO247AC | 对比 |
![]() | STGW20V60F | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT Transistors 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop | 对比 |




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