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首页 全部分类 STGW25H120F2 vs FGH25T120SMD-F155

STGW25H120F2备选型号: FGH25T120SMD-F155

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  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
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  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 反向恢复时间
  • JEDEC-95代码
  • 辐射硬化
  • STMicroelectronics
    STGW25H120F2
    STMicroelectronics
    IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    32 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    38.000013g
    SILICON
    1.2kV
    2.1V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    375W
    未说明
    未说明
    STGW25
    R-PSFM-T3
    Single
    Standard
    375W
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.6V
    50A
    1200V
    41 ns
    2.6V @ 15V, 25A
    339 ns
    沟渠现场停车
    100nC
    100A
    29ns/130ns
    600μJ (on), 700μJ (off)
    20V
    7V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGH25T120SMD-F155
    ON Semiconductor
    IGBT Transistors 1200V, 25A Field Stop Trench IGBT
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    5 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    6.39g
    SILICON
    1.2kV
    1.9V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    428W
    260
    -
    -
    -
    Single
    Standard
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.2kV
    50A
    1200V
    88 ns
    2.4V @ 15V, 25A
    584 ns
    沟渠现场停车
    225nC
    100A
    40ns/490ns
    1.74mJ (on), 560μJ (off)
    25V
    7.5V
    ROHS3 Compliant
    -
    3
    2014
    e3
    yes
    TIN
    428W
    COLLECTOR
    60ns
    TO-247AB
    无
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