STGW25H120F2备选型号: IRG7PH35UDPBF

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  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
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  • 安装类型
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  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 包装
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 输入类型
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • 关断时间-标准值(toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流(Icm)
  • Td(开/关)@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 已出版
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 反向恢复时间
  • JEDEC-95代码
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • STMicroelectronics
    IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    32 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    38.000013g
    SILICON
    1.2kV
    2.1V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    375W
    未说明
    未说明
    STGW25
    R-PSFM-T3
    Single
    Standard
    375W
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.6V
    50A
    1200V
    41 ns
    2.6V @ 15V, 25A
    339 ns
    沟渠现场停车
    100nC
    100A
    29ns/130ns
    600μJ (on), 700μJ (off)
    20V
    7V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IGBT 1200V 50A 180W TO247AC
    -
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    SILICON
    1.2kV
    1.9V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    180W
    -
    -
    -
    -
    Single
    Standard
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.2V
    50A
    1200V
    45 ns
    2.2V @ 15V, 20A
    400 ns
    Trench
    85nC
    60A
    30ns/160ns
    1.06mJ (on), 620μJ (off)
    -
    6V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3
    2010
    180W
    COLLECTOR
    30 ns
    105 ns
    TO-247AC
    20.7mm
    15.87mm
    5.31mm
    无SVHC
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