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首页 全部分类 STGW25M120DF3 vs IRG7PH35UDPBF

STGW25M120DF3备选型号: IRG7PH35UDPBF

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  • 晶体管应用
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  • 宽度
  • 辐射硬化
  • STMicroelectronics
    STGW25M120DF3
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGW25M120DF3 IGBT Single Transistor, 50 A, 1.85 V, 375 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    38.000013g
    1.2kV
    1.85V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    375W
    未说明
    未说明
    STGW25
    Single
    Standard
    375W
    N-CHANNEL
    1.2kV
    50A
    265 ns
    1200V
    2.3V @ 15V, 25A
    沟渠现场停车
    85nC
    100A
    28ns/150ns
    850μJ (on), 1.3mJ (off)
    20V
    7V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRG7PH35UDPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 1200V 50A 180W TO247AC
    -
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    1.2kV
    1.9V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    180W
    -
    -
    -
    Single
    Standard
    -
    N-CHANNEL
    2.2V
    50A
    105 ns
    1200V
    2.2V @ 15V, 20A
    Trench
    85nC
    60A
    30ns/160ns
    1.06mJ (on), 620μJ (off)
    -
    6V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    2010
    3
    180W
    COLLECTOR
    30 ns
    电源控制
    TO-247AC
    45 ns
    400 ns
    20.7mm
    15.87mm
    5.31mm
    无
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