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首页 全部分类 STGW30H60DLFB vs STGW30NC60KD

STGW30H60DLFB备选型号: STGW30NC60KD

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  • 晶体管应用
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  • 接通时间
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STGW30H60DLFB
    STMicroelectronics
    IGBT HB 600V 30A HS TO247
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    600V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    260W
    未说明
    未说明
    STGW30
    Standard
    260W
    N-CHANNEL
    2V
    60A
    2V @ 15V, 30A
    沟渠现场停车
    149nC
    120A
    -/146ns
    293μJ (off)
    20V
    7V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGW30NC60KD
    STMicroelectronics
    IGBT 600V 60A 200W TO247
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    200W
    -
    -
    STGW30
    Standard
    200W
    N-CHANNEL
    600V
    60A
    2.7V @ 15V, 20A
    -
    96nC
    125A
    29ns/120ns
    350μJ (on), 435μJ (off)
    20V
    6.5V
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    3
    38.000013g
    SILICON
    PowerMESH™
    3
    超快
    3
    Single
    29 ns
    电源控制
    40 ns
    41 ns
    290 ns
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无
    无铅
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