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首页 全部分类 STGW30NC60KD vs STGW30H60DFB

STGW30NC60KD备选型号: STGW30H60DFB

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  • 闸门收费
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  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • IGBT类型
  • STMicroelectronics
    STGW30NC60KD
    STMicroelectronics
    IGBT 600V 60A 200W TO247
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    38.000013g
    SILICON
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PowerMESH™
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    超快
    200W
    STGW30
    3
    Single
    Standard
    29 ns
    200W
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    60A
    40 ns
    41 ns
    2.7V @ 15V, 20A
    290 ns
    96nC
    125A
    29ns/120ns
    350μJ (on), 435μJ (off)
    20V
    6.5V
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGW30H60DFB
    STMicroelectronics
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin TO-247 Tube
    -
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    38.000013g
    -
    600V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    260W
    STGW30
    -
    Single
    Standard
    -
    260W
    -
    -
    600V
    60A
    53 ns
    -
    2V @ 15V, 30A
    -
    149nC
    120A
    37ns/146ns
    383μJ (on), 293μJ (off)
    -
    -
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    1.55V
    未说明
    未说明
    沟渠现场停车
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