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首页 全部分类 STGW30NC60VD vs FGH40T65SPD-F155

STGW30NC60VD备选型号: FGH40T65SPD-F155

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 宽度
  • 辐射硬化
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  • 质量
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 功率 - 最大
  • IGBT类型
  • STMicroelectronics
    STGW30NC60VD
    STMicroelectronics
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    600V
    2.5V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PowerMESH™
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    250W
    STGW30
    3
    Single
    250W
    Standard
    电源控制
    11ns
    N-CHANNEL
    600V
    80A
    44ns
    42.5 ns
    2.5V @ 15V, 20A
    280 ns
    100nC
    150A
    31ns/100ns
    220μJ (on), 330μJ (off)
    20V
    5.75V
    21.07mm
    16.02mm
    5.15mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGH40T65SPD-F155
    ON Semiconductor
    IGBT 650V 80A 267W TO-247
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    10 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    650V
    2.51V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    267W
    -
    -
    Single
    -
    Standard
    -
    -
    N-CHANNEL
    650V
    80A
    34 ns
    -
    2.4V @ 15V, 40A
    -
    35nC
    120A
    16ns/37ns
    1.16mJ (on), 280μJ (off)
    20V
    7.5V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    6.39g
    2015
    yes
    267W
    沟渠现场停车
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