FGH40T65SPD-F155
FGH40T65SPD-F155

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ON Semiconductor FGH40T65SPD-F155

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型号

FGH40T65SPD-F155

utmel 编号

1807-FGH40T65SPD-F155

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-247-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT 650V 80A 267W TO-247

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FGH40T65SPD-F155
FGH40T65SPD-F155 ON Semiconductor IGBT 650V 80A 267W TO-247

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FGH40T65SPD-F155详情

ON Semiconductor FGH40T65SPD-F155重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

  • 工厂交货时间

    10 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-247-3

  • 引脚数

    3

  • 质量

    6.39g

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    650V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    2.51V

  • Test Conditions

    400V, 40A, 6 Ω, 15V

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 已出版

    2015

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最大功率耗散

    267W

  • 元素配置

    Single

  • 输入类型

    Standard

  • 功率 - 最大

    267W

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    650V

  • 最大集电极电流

    80A

  • 反向恢复时间

    34 ns

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2.4V @ 15V, 40A

  • IGBT类型

    沟渠现场停车

  • 闸门收费

    35nC

  • 集极脉冲电流(Icm)

    120A

  • Td(开/关)@25°C

    16ns/37ns

  • 开关能量

    1.16mJ (on), 280μJ (off)

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20V

  • 栅极-发射极Thr电压-最大值

    7.5V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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