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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥26.706492
10
¥25.1948
100
¥23.76868
500
¥22.423285
1000
¥21.154046
ON Semiconductor FGH40T65SPD-F155
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FGH40T65SPD-F155
1807-FGH40T65SPD-F155
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
大陆
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IGBT 650V 80A 267W TO-247
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FGH40T65SPD-F155详情
ON Semiconductor FGH40T65SPD-F155重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
10 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
质量
6.39g
Collector-Emitter Breakdown Voltage
650V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.51V
Test Conditions
400V, 40A, 6 Ω, 15V
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
已出版
2015
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最大功率耗散
267W
元素配置
Single
输入类型
Standard
功率 - 最大
267W
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
650V
最大集电极电流
80A
反向恢复时间
34 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.4V @ 15V, 40A
IGBT类型
沟渠现场停车
闸门收费
35nC
集极脉冲电流(Icm)
120A
Td(开/关)@25°C
16ns/37ns
开关能量
1.16mJ (on), 280μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
7.5V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FGH40T65SPD-F155拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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